Infineon BSS126H6327XTSA2 MOSFET

Код товара RS: 826-8245PБренд: InfineonПарт-номер производителя: BSS126H6327XTSA2
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

17 мА

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

700 Ω

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.7V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,4 нКл при 5 В

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

SIPMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Страна происхождения

China

Вас может заинтересовать
Infineon BSS126H6327XTSA2 MOSFET
Infineon BSS126H6327XTSA2 MOSFETБренд: Infineon
тг 93,87Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon BSS126H6327XTSA2 MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon BSS126H6327XTSA2 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Вас может заинтересовать
Infineon BSS126H6327XTSA2 MOSFET
Infineon BSS126H6327XTSA2 MOSFETБренд: Infineon
тг 93,87Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

17 мА

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

700 Ω

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.7V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,4 нКл при 5 В

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

SIPMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Страна происхождения

China

Вас может заинтересовать
Infineon BSS126H6327XTSA2 MOSFET
Infineon BSS126H6327XTSA2 MOSFETБренд: Infineon
тг 93,87Each (In a Pack of 25) (ex VAT)