Infineon BSS126H6327XTSA2 MOSFET

Код товара RS: 753-2838PБренд: InfineonПарт-номер производителя: BSS126H6327XTSA2
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

21 мА

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

SOT-23

Серия

SIPMOS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

700 Ω

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.7V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

2.9мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

1,4 нКл при 5 В

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon BSS126H6327XTSA2 MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon BSS126H6327XTSA2 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

21 мА

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

SOT-23

Серия

SIPMOS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

700 Ω

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.7V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

2.9мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

1,4 нКл при 5 В

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.