N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS123NH6327XTSA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
190 мА
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,6 нКл при 10 В
Высота
1мм
Серия
OptiMOS
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
500
P.O.A.
500
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 500 - 1000 | P.O.A. |
| 1500 - 2500 | P.O.A. |
| 3000 - 5500 | P.O.A. |
| 6000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
190 мА
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,6 нКл при 10 В
Высота
1мм
Серия
OptiMOS
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.