Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2,2 В
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,8 В
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.5мм
Ширина
3.5мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1.6мм
тг 254,79
тг 254,79 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 254,79
тг 254,79 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 4 | тг 254,79 |
| 5 - 19 | тг 227,97 |
| 20 - 49 | тг 143,04 |
| 50 - 99 | тг 111,75 |
| 100+ | тг 102,81 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2,2 В
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,8 В
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.5мм
Ширина
3.5мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1.6мм
