Nexperia BSP51,115 Пара Дарлингтона

Код товара RS: 725-8467Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: BSP51,115
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.00005mA

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.7мм

Ширина

3.7мм

Высота

1.7мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Длина

6.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Вас может заинтересовать
Nexperia BSP51 Транзистор Дарлингтона
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

тг 1 430,40

тг 143,04 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Nexperia BSP51,115 Пара Дарлингтона
Select packaging type

тг 1 430,40

тг 143,04 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Nexperia BSP51,115 Пара Дарлингтона

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 10тг 143,04тг 1 430,40
20 - 40тг 143,04тг 1 430,40
50 - 90тг 143,04тг 1 430,40
100 - 190тг 102,81тг 1 028,10
200+тг 102,81тг 1 028,10
Вас может заинтересовать
Nexperia BSP51 Транзистор Дарлингтона
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.00005mA

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.7мм

Ширина

3.7мм

Высота

1.7мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Длина

6.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Вас может заинтересовать
Nexperia BSP51 Транзистор Дарлингтона
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)