Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET, 170 mA, 400 V, 3-Pin SOT-223 BSP324H6327XTSA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
170 мА
Максимальное напряжение сток-исток
400 В
Серия
SIPMOS
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
25 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.3V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
4,54 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
3.5мм
Высота
1.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 8 493,00
тг 169,86 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 8 493,00
тг 169,86 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 200 | тг 169,86 | тг 8 493,00 |
| 250 - 450 | тг 111,75 | тг 5 587,50 |
| 500 - 700 | тг 98,34 | тг 4 917,00 |
| 750 - 950 | тг 89,40 | тг 4 470,00 |
| 1000+ | тг 89,40 | тг 4 470,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
170 мА
Максимальное напряжение сток-исток
400 В
Серия
SIPMOS
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
25 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.3V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
4,54 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
3.5мм
Высота
1.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.