Infineon BSP300H6327XUSA1 МОП-транзистор (MOSFET)

Код товара RS: 911-4861Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSP300H6327XUSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

190 мА

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Максимальное сопротивление сток-исток

20 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Ширина

3.5мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

1.6мм

Серия

SIPMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BSP300H6327XUSA1 МОП-транзистор (MOSFET)

P.O.A.

Infineon BSP300H6327XUSA1 МОП-транзистор (MOSFET)
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

190 мА

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Максимальное сопротивление сток-исток

20 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Ширина

3.5мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

1.6мм

Серия

SIPMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.