Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 1.2 A, 100 V, 3-Pin SOT-223 BSP296NH6327XTSA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,2 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
OptiMOS
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
800 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
3.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
4,5 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 10 281,00
тг 205,62 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 10 281,00
тг 205,62 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 200 | тг 205,62 | тг 10 281,00 |
| 250 - 450 | тг 178,80 | тг 8 940,00 |
| 500 - 700 | тг 151,98 | тг 7 599,00 |
| 750 - 950 | тг 143,04 | тг 7 152,00 |
| 1000+ | тг 120,69 | тг 6 034,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,2 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
OptiMOS
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
800 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.8V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
3.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
4,5 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.