Infineon BSP296NH6327XTSA1 MOSFET

Код товара RS: 124-8756Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSP296NH6327XTSA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,2 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

OptiMOS

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

800 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

4,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BSP296NH6327XTSA1 MOSFET

1

Доступно в кратности 1000
1P.O.A.
1001P.O.A.
2001P.O.A.
3001P.O.A.
4001P.O.A.
5001P.O.A.
6001P.O.A.
7001P.O.A.
8001P.O.A.
9001P.O.A.
10001P.O.A.
11001P.O.A.
12001P.O.A.
13001P.O.A.
14001P.O.A.

P.O.A.

Infineon BSP296NH6327XTSA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1000
1P.O.A.
1001P.O.A.
2001P.O.A.
3001P.O.A.
4001P.O.A.
5001P.O.A.
6001P.O.A.
7001P.O.A.
8001P.O.A.
9001P.O.A.
10001P.O.A.
11001P.O.A.
12001P.O.A.
13001P.O.A.
14001P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,2 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

OptiMOS

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

800 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

4,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.