Infineon BSP171PH6327XTSA1 MOSFET

Код товара RS: 167-942Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSP171PH6327XTSA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

SIPMOS

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

300 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

13 нКл при 10 В

Ширина

3.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

тг 3 307,80

тг 330,78 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon BSP171PH6327XTSA1 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 3 307,80
20тг 6 615,60
30тг 9 923,40
40тг 13 231,20
50тг 12 963,00
60тг 15 555,60
70тг 18 148,20
80тг 20 740,80
90тг 23 333,40
100тг 25 926,00
110тг 28 518,60
120тг 31 111,20
130тг 33 703,80
140тг 36 296,40
150тг 38 889,00

тг 3 307,80

тг 330,78 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon BSP171PH6327XTSA1 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 3 307,80
20тг 6 615,60
30тг 9 923,40
40тг 13 231,20
50тг 12 963,00
60тг 15 555,60
70тг 18 148,20
80тг 20 740,80
90тг 23 333,40
100тг 25 926,00
110тг 28 518,60
120тг 31 111,20
130тг 33 703,80
140тг 36 296,40
150тг 38 889,00

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 330,78тг 3 307,80
50 - 190тг 259,26тг 2 592,60
200 - 490тг 227,97тг 2 279,70
500 - 990тг 201,15тг 2 011,50
1000+тг 187,74тг 1 877,40

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

1,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

SIPMOS

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

300 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

13 нКл при 10 В

Ширина

3.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.