Infineon BSP170PH6327XTSA1 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,9 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
SIPMOS
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
300 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 10 В
Ширина
3.5мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.6мм
Информация о товаре
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 210,09
Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 210,09
Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 200 | тг 210,09 | тг 10 504,50 |
| 250 - 450 | тг 174,33 | тг 8 716,50 |
| 500 - 700 | тг 147,51 | тг 7 375,50 |
| 750 - 950 | тг 147,51 | тг 7 375,50 |
| 1000+ | тг 116,22 | тг 5 811,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,9 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
SIPMOS
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
300 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 10 В
Ширина
3.5мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.6мм
Информация о товаре
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.