N-Channel MOSFET, 660 mA, 200 V Depletion, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP149H6327XTSA1

Код товара RS: 911-4808Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSP149H6327XTSA1
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

660 мА

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,8 Ω

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.5мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

6.5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

11 нКл при 5 В

Высота

1.6мм

Серия

SIPMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 660 mA, 200 V Depletion, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP149H6327XTSA1

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 660 mA, 200 V Depletion, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP149H6327XTSA1
Информация о наличии не успела загрузиться

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

660 мА

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,8 Ω

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.5мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

6.5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

11 нКл при 5 В

Высота

1.6мм

Серия

SIPMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.