Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET, 120 mA, 600 V Depletion, 3-Pin SOT-223 BSP135H6327XTSA1

Код товара RS: 911-4805Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSP135H6327XTSA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

120 мА

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

SOT-223

Серия

SIPMOS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

45 Ω

Номер канала

Опускание

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

3,7 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

3.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.5мм

Высота

1.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

P.O.A.

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET, 120 mA, 600 V Depletion, 3-Pin SOT-223 BSP135H6327XTSA1

1

Доступно в кратности 1000
1P.O.A.
1001P.O.A.
2001P.O.A.
3001P.O.A.
4001P.O.A.
5001P.O.A.
6001P.O.A.
7001P.O.A.
8001P.O.A.
9001P.O.A.
10001P.O.A.
11001P.O.A.
12001P.O.A.
13001P.O.A.
14001P.O.A.

P.O.A.

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET, 120 mA, 600 V Depletion, 3-Pin SOT-223 BSP135H6327XTSA1

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1000
1P.O.A.
1001P.O.A.
2001P.O.A.
3001P.O.A.
4001P.O.A.
5001P.O.A.
6001P.O.A.
7001P.O.A.
8001P.O.A.
9001P.O.A.
10001P.O.A.
11001P.O.A.
12001P.O.A.
13001P.O.A.
14001P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

120 мА

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

SOT-223

Серия

SIPMOS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

45 Ω

Номер канала

Опускание

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

3,7 нКл при 5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

3.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.5мм

Высота

1.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.