Infineon BSP129H6327XTSA1 MOSFET

Код товара RS: 753-2800Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSP129H6327XTSA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

350 мА

Максимальное напряжение сток-исток

240 В

Тип корпуса

SOT-223

Серия

SIPMOS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

20 Ω

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

3,8 нКл при 5 В

Высота

1.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 497,45

тг 299,49 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Infineon BSP129H6327XTSA1 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 497,45
10тг 2 994,90
15тг 4 492,35
20тг 5 989,80
25тг 7 487,25
30тг 8 984,70
35тг 10 482,15
40тг 11 979,60
45тг 13 477,05
50тг 14 974,50
55тг 16 471,95
60тг 17 969,40
65тг 19 466,85
70тг 20 964,30
75тг 22 461,75

тг 1 497,45

тг 299,49 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Infineon BSP129H6327XTSA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 497,45
10тг 2 994,90
15тг 4 492,35
20тг 5 989,80
25тг 7 487,25
30тг 8 984,70
35тг 10 482,15
40тг 11 979,60
45тг 13 477,05
50тг 14 974,50
55тг 16 471,95
60тг 17 969,40
65тг 19 466,85
70тг 20 964,30
75тг 22 461,75

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 120тг 299,49тг 1 497,45
125 - 495тг 210,09тг 1 050,45
500 - 2495тг 196,68тг 983,40
2500 - 4995тг 134,10тг 670,50
5000+тг 125,16тг 625,80

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

350 мА

Максимальное напряжение сток-исток

240 В

Тип корпуса

SOT-223

Серия

SIPMOS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

20 Ω

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

3,8 нКл при 5 В

Высота

1.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.