N-Channel MOSFET, 12.1 A, 30 V, 8-Pin DSO Infineon BSO110N03MSGXUMA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
12.1 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
DSO
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
13,9 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7,2 нКл при 10 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
OptiMOS 3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.65мм
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, up to 40V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 50 - 150 | P.O.A. |
| 200 - 950 | P.O.A. |
| 1000 - 2450 | P.O.A. |
| 2500 - 4950 | P.O.A. |
| 5000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
12.1 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
DSO
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
13,9 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7,2 нКл при 10 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
OptiMOS 3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.65мм
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, up to 40V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.