Dual N-Channel MOSFET, 13 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC750N10NDGATMA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
13 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
TDSON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
75 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
26 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.9мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.15мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Серия
OptiMOS 2
Страна происхождения
Singapore
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family
Infineon’s OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5000
P.O.A.
5000
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
13 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
TDSON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
75 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
26 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.9мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.15мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Серия
OptiMOS 2
Страна происхождения
Singapore
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family
Infineon’s OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.