Infineon BSC500N20NS3GATMA1 MOSFET

Код товара RS: 170-2304Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSC500N20NS3GATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

24 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

50 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

96 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Ширина

6.35мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.2V

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Серия

BSC500N20NS3 G

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BSC500N20NS3GATMA1 MOSFET

P.O.A.

Infineon BSC500N20NS3GATMA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

24 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

50 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

96 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Ширина

6.35мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.2V

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Серия

BSC500N20NS3 G