Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
45 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
TDSON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
16,7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
78 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.35мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Высота
1.1мм
Серия
OptiMOS 2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family
Infineons OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5000
P.O.A.
5000
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
45 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
TDSON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
16,7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
78 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.35мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Высота
1.1мм
Серия
OptiMOS 2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.3V
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family
Infineons OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.