Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 42 A, 100 V, 8-Pin TDSON BSC160N10NS3GATMA1

Код товара RS: 825-9250Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSC160N10NS3GATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

42 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

33 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

60 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

тг 4 782,90

тг 478,29 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 42 A, 100 V, 8-Pin TDSON BSC160N10NS3GATMA1
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 4 782,90
20тг 9 565,80
30тг 14 348,70
40тг 19 131,60
50тг 23 914,50
60тг 28 697,40
70тг 33 480,30
80тг 38 263,20
90тг 43 046,10
100тг 47 829,00
110тг 52 611,90
120тг 57 394,80
130тг 62 177,70
140тг 66 960,60
150тг 71 743,50

тг 4 782,90

тг 478,29 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 42 A, 100 V, 8-Pin TDSON BSC160N10NS3GATMA1

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 4 782,90
20тг 9 565,80
30тг 14 348,70
40тг 19 131,60
50тг 23 914,50
60тг 28 697,40
70тг 33 480,30
80тг 38 263,20
90тг 43 046,10
100тг 47 829,00
110тг 52 611,90
120тг 57 394,80
130тг 62 177,70
140тг 66 960,60
150тг 71 743,50

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 490тг 478,29тг 4 782,90
500 - 990тг 335,25тг 3 352,50
1000 - 2490тг 263,73тг 2 637,30
2500 - 4990тг 227,97тг 2 279,70
5000+тг 223,50тг 2 235,00

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

42 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

33 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

60 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.