Infineon BSC12DN20NS3GATMA1 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11.3 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

125 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

50 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Ширина

6.35мм

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

6,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.35мм

Высота

1.1мм

Серия

BSC12DN20NS3 G

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V