N-Channel MOSFET, 71 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC123N10LSGATMA1

Код товара RS: 911-0783Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSC123N10LSGATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

71 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

16,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

114 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

5.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

51 нКл при 10 В

Ширина

6.1мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.1мм

Серия

OptiMOS 2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family

Infineon’s OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 71 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC123N10LSGATMA1

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 71 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC123N10LSGATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

71 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

16,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

114 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

5.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

51 нКл при 10 В

Ширина

6.1мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.1мм

Серия

OptiMOS 2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family

Infineon’s OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.