Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Infineon BSC097N06NSATMA1 MOSFET

Код товара RS: 110-9115Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSC097N06NSATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

46 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

OptiMOS

Тип корпуса

TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

14,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.3V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

36 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BSC097N06NSATMA1 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 25
1P.O.A.
26P.O.A.
51P.O.A.
76P.O.A.
101P.O.A.
126P.O.A.
151P.O.A.
176P.O.A.
201P.O.A.
226P.O.A.
251P.O.A.
276P.O.A.
301P.O.A.
326P.O.A.
351P.O.A.

P.O.A.

Infineon BSC097N06NSATMA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 25
1P.O.A.
26P.O.A.
51P.O.A.
76P.O.A.
101P.O.A.
126P.O.A.
151P.O.A.
176P.O.A.
201P.O.A.
226P.O.A.
251P.O.A.
276P.O.A.
301P.O.A.
326P.O.A.
351P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

46 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

OptiMOS

Тип корпуса

TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

14,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.3V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

36 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.