Dual N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TISON Infineon BSC0921NDIATMA1

Код товара RS: 133-9832Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSC0921NDIATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

40 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

TISON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

+20 В

Длина

5.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

22 нКл при 4,5 В, 5,9 нКл при 4,5 В

Количество элементов на ИС

2

Ширина

6.1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Серия

OptiMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TISON Infineon BSC0921NDIATMA1

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TISON Infineon BSC0921NDIATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

40 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

TISON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

+20 В

Длина

5.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

22 нКл при 4,5 В, 5,9 нКл при 4,5 В

Количество элементов на ИС

2

Ширина

6.1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Серия

OptiMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.1мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.