N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC057N08NS3 G

Код товара RS: 911-0765Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSC057N08NS3 G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Тип корпуса

TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

5,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

114 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.1мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

42 нКл при 10 В

Высота

1.1мм

Серия

OptiMOS 3

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Singapore

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC057N08NS3 G

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC057N08NS3 G
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Тип корпуса

TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

5,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

114 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.1мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

42 нКл при 10 В

Высота

1.1мм

Серия

OptiMOS 3

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Singapore