Infineon BSC052N03LSATMA1 MOSFET

Код товара RS: 165-5986Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSC052N03LSATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

57 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

TDSON

Серия

OptiMOS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

7,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

28 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.35мм

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BSC052N03LSATMA1 MOSFET

1

Доступно в кратности 5000
1P.O.A.
5001P.O.A.
10001P.O.A.
15001P.O.A.
20001P.O.A.
25001P.O.A.
30001P.O.A.
35001P.O.A.
40001P.O.A.
45001P.O.A.
50001P.O.A.
55001P.O.A.
60001P.O.A.
65001P.O.A.
70001P.O.A.

P.O.A.

Infineon BSC052N03LSATMA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 5000
1P.O.A.
5001P.O.A.
10001P.O.A.
15001P.O.A.
20001P.O.A.
25001P.O.A.
30001P.O.A.
35001P.O.A.
40001P.O.A.
45001P.O.A.
50001P.O.A.
55001P.O.A.
60001P.O.A.
65001P.O.A.
70001P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

57 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

TDSON

Серия

OptiMOS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

7,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

28 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.35мм

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.