N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC040N10NS5ATMA1

Код товара RS: 171-1973Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSC040N10NS5ATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

5,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.8V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Максимальное рассеяние мощности

139 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

58 нКл при 10 В

Ширина

6.35мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.49мм

Высота

1.1мм

Серия

BSC040N10NS5

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC040N10NS5ATMA1
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC040N10NS5ATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

5,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.8V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Максимальное рассеяние мощности

139 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

58 нКл при 10 В

Ширина

6.35мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.49мм

Высота

1.1мм

Серия

BSC040N10NS5

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V