Техническая документация
Характеристики
Номер канала
Поднятие
Количество элементов на ИС
1
Тип канала
N
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Число контактов
8
Конфигурация транзистора
Одинарный
Прямое напряжение диода
1.2V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Высота
1.1мм
Размеры
59 x 92 x 18мм
Длина
6.1мм
Ширина
5.35мм
Максимальное рассеяние мощности
69 Вт
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное сопротивление сток-исток
5,9 мΩ
Brand
InfineonТип корпуса
TDSON
Типичный заряд затвора при Vgs
27 нКл при 10 В
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5000
P.O.A.
5000
Техническая документация
Характеристики
Номер канала
Поднятие
Количество элементов на ИС
1
Тип канала
N
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Число контактов
8
Конфигурация транзистора
Одинарный
Прямое напряжение диода
1.2V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Высота
1.1мм
Размеры
59 x 92 x 18мм
Длина
6.1мм
Ширина
5.35мм
Максимальное рассеяние мощности
69 Вт
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное сопротивление сток-исток
5,9 мΩ
Brand
InfineonТип корпуса
TDSON
Типичный заряд затвора при Vgs
27 нКл при 10 В