Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 137 A, 60 V, 8-Pin TDSON BSC028N06NSATMA1

Код товара RS: 906-4296Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSC028N06NSATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

137 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TDSON

Серия

OptiMOS 5

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

4,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.3V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.35мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

37 нКл при 10 В

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 137 A, 60 V, 8-Pin TDSON BSC028N06NSATMA1
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

P.O.A.

Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 137 A, 60 V, 8-Pin TDSON BSC028N06NSATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

137 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TDSON

Серия

OptiMOS 5

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

4,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.3V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.35мм

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

37 нКл при 10 В

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.