Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 110 A, 25 V PG-TDSON-8-5 BSC024NE2LSATMA1

Код товара RS: 259-1468Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSC024NE2LSATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

PG-TDSON-8-5

Серия

OptiMOS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

P.O.A.

Each (On a Reel of 5000) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 110 A, 25 V PG-TDSON-8-5 BSC024NE2LSATMA1

5000

Доступно в кратности 5000
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
75000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 5000) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 110 A, 25 V PG-TDSON-8-5 BSC024NE2LSATMA1

Информация о наличии не успела загрузиться

5000

Доступно в кратности 5000
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
75000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

110 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

PG-TDSON-8-5

Серия

OptiMOS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж