Infineon BSC009NE2LS5IATMA1 MOSFET

Код товара RS: 133-6577Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSC009NE2LS5IATMA1
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

PG-TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

1,35 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

74 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+16 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

5.49мм

Типичный заряд затвора при Vgs

36 нКл при 10 В

Ширина

6.35мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

1.1мм

Серия

OptiMOS 5

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.62V

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BSC009NE2LS5IATMA1 MOSFET

5000

Доступно в кратности 5000
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
75000P.O.A.

P.O.A.

Infineon BSC009NE2LS5IATMA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

5000

Доступно в кратности 5000
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
75000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

PG-TDSON

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

1,35 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

74 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+16 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

5.49мм

Типичный заряд затвора при Vgs

36 нКл при 10 В

Ширина

6.35мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

1.1мм

Серия

OptiMOS 5

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.62V

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.