N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Infineon BSC009NE2LS5ATMA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
PG-TDSON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
1,25 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
74 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+16 В
Ширина
6.35мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
5.49мм
Типичный заряд затвора при Vgs
43 нКл при 10 В
Серия
OptiMOS 5
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Прямое напряжение диода
1V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
PG-TDSON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
1,25 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
74 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
+16 В
Ширина
6.35мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
5.49мм
Типичный заряд затвора при Vgs
43 нКл при 10 В
Серия
OptiMOS 5
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Прямое напряжение диода
1V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.