Infineon BSB028N06NN3GXUMA1 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
90 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
MG-WDSON-2
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
2,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
78 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.05мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
108 нКл при 10 В
Длина
6.35мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
0.53мм
Серия
OptiMOS 3
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5000
P.O.A.
5000
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
90 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
MG-WDSON-2
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
2,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
78 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.05мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
108 нКл при 10 В
Длина
6.35мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
0.53мм
Серия
OptiMOS 3
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.