Infineon BFR93AE6327HTSA1 NPN Transistor, 90 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23

Код товара RS: 445-2225PБренд: InfineonПарт-номер производителя: BFR93AE6327HTSA1
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

90 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

12 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

20 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

2 В

Максимальная рабочая частота

6000 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

1 x 2.9 x 1.3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon BFR93AE6327HTSA1 NPN Transistor, 90 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon BFR93AE6327HTSA1 NPN Transistor, 90 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

90 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

12 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

20 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

2 В

Максимальная рабочая частота

6000 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

1 x 2.9 x 1.3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Вас может заинтересовать