Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
90 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
12 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
6 ГГц
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.9 x 1.3 x 1мм
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
100 - 100 | P.O.A. |
200 - 900 | P.O.A. |
1000 - 1900 | P.O.A. |
2000 - 4900 | P.O.A. |
5000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
90 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
12 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
6 ГГц
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.9 x 1.3 x 1мм
Информация о товаре