Infineon BFR93AE6327HTSA1 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
35 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
12 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
15 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
6000 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
35 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
12 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
15 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
6000 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon