Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 А, 127 А
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,1 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Максимальное рассеяние мощности
99 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
66 нКл при 10 В
Ширина
2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
COOLiRFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
6.22мм
Информация о товаре
COOLiRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon's Automotive-qualified COOLiRFET™ Power MOSFETs achieve very low on-resistance (RDS(on)), very low conduction loss, resulting in highly efficient switching speeds of high current signals. They deliver higher efficiency, power density and reliability in harsh signal environments with robust avalanche performance, low conduction losses, fast switching speeds, and 175°C maximum junction temperature.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 715,20
Each (In a Tube of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 715,20
Each (In a Tube of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Труба |
---|---|---|
5 - 95 | тг 715,20 | тг 3 576,00 |
100 - 245 | тг 312,90 | тг 1 564,50 |
250 - 495 | тг 303,96 | тг 1 519,80 |
500 - 995 | тг 290,55 | тг 1 452,75 |
1000+ | тг 268,20 | тг 1 341,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 А, 127 А
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,1 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Максимальное рассеяние мощности
99 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
66 нКл при 10 В
Ширина
2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
COOLiRFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
6.22мм
Информация о товаре
COOLiRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon's Automotive-qualified COOLiRFET™ Power MOSFETs achieve very low on-resistance (RDS(on)), very low conduction loss, resulting in highly efficient switching speeds of high current signals. They deliver higher efficiency, power density and reliability in harsh signal environments with robust avalanche performance, low conduction losses, fast switching speeds, and 175°C maximum junction temperature.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.