N-Channel MOSFET, 195 A, 409 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB Infineon AUIRFB8409

Код товара RS: 787-0985Бренд: InfineonПарт-номер производителя: AUIRFB8409
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

195 А, 409 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

300 нКл при 10 В

Ширина

3.43мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

COOLiRFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.02мм

Информация о товаре

COOLiRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's Automotive-qualified COOLiRFET™ Power MOSFETs achieve very low on-resistance (RDS(on)), very low conduction loss, resulting in highly efficient switching speeds of high current signals. They deliver higher efficiency, power density and reliability in harsh signal environments with robust avalanche performance, low conduction losses, fast switching speeds, and 175°C maximum junction temperature.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 470,63

Each (In a Tube of 2) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 195 A, 409 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB Infineon AUIRFB8409
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 2 941,26
4тг 5 882,52
6тг 8 823,78
8тг 11 765,04
10тг 14 706,30
12тг 17 647,56
14тг 20 588,82
16тг 23 530,08
18тг 26 471,34
20тг 29 412,60
22тг 32 353,86
24тг 35 295,12
26тг 38 236,38
28тг 41 177,64
30тг 44 118,90

тг 1 470,63

Each (In a Tube of 2) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 195 A, 409 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB Infineon AUIRFB8409
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 2 941,26
4тг 5 882,52
6тг 8 823,78
8тг 11 765,04
10тг 14 706,30
12тг 17 647,56
14тг 20 588,82
16тг 23 530,08
18тг 26 471,34
20тг 29 412,60
22тг 32 353,86
24тг 35 295,12
26тг 38 236,38
28тг 41 177,64
30тг 44 118,90

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Труба
2 - 98тг 1 470,63тг 2 941,26
100 - 248тг 965,52тг 1 931,04
250 - 498тг 943,17тг 1 886,34
500 - 998тг 925,29тг 1 850,58
1000+тг 907,41тг 1 814,82

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

195 А, 409 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

300 нКл при 10 В

Ширина

3.43мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

COOLiRFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.02мм

Информация о товаре

COOLiRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's Automotive-qualified COOLiRFET™ Power MOSFETs achieve very low on-resistance (RDS(on)), very low conduction loss, resulting in highly efficient switching speeds of high current signals. They deliver higher efficiency, power density and reliability in harsh signal environments with robust avalanche performance, low conduction losses, fast switching speeds, and 175°C maximum junction temperature.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.