Infineon AUIRF7316QTR MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4,9 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
90 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
23 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.5мм
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1V
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
4000
P.O.A.
4000
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4,9 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
90 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
23 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.5мм
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1V
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.