N-Channel MOSFET, 240 A, 55 V, 7-Pin D2PAK-7 Infineon AUIRF3805S-7P
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
240 A
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
2,6 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
10.35мм
Ширина
10.05мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
130 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.55мм
Информация о товаре
Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 1 488,51
тг 1 488,51 Each (ex VAT)
1
тг 1 488,51
тг 1 488,51 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 4 | тг 1 488,51 |
| 5 - 19 | тг 1 171,14 |
| 20 - 49 | тг 1 117,50 |
| 50 - 99 | тг 1 032,57 |
| 100+ | тг 969,99 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
240 A
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
2,6 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
10.35мм
Ширина
10.05мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
130 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.55мм
Информация о товаре
Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.