Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 202 A, 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R010M1TXKSA1

Код товара RS: 349-372Бренд: InfineonПарт-номер производителя: AIMZH120R010M1TXKSA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

202 A

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Серия

AIM

Тип корпуса

PG-TO247-4

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 202 A, 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R010M1TXKSA1

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 202 A, 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R010M1TXKSA1
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

202 A

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Серия

AIM

Тип корпуса

PG-TO247-4

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Страна происхождения

China