Infineon 2N7002H6327XTSA2 MOSFET

Код товара RS: 124-9035Бренд: InfineonПарт-номер производителя: 2N7002H6327XTSA2
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,4 нКл

Ширина

1.3мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Серия

OptiMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon 2N7002H6327XTSA2 MOSFET

P.O.A.

Infineon 2N7002H6327XTSA2 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,4 нКл

Ширина

1.3мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Серия

OptiMOS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.