Infineon 2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
4 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.25мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,4 нКл при 10 В
Высота
0.8мм
Серия
OptiMOS
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
4 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.25мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,4 нКл при 10 В
Высота
0.8мм
Серия
OptiMOS
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.