Техническая документация
Характеристики
Brand
HynixОбъем памяти
512Мбит
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
48
Организация
64М x 8 бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип ячейки
Флеш-память с одноуровневыми ячейками
Максимальное рабочее напряжение питания
3,3 В
Блочная организация
Симметричный
Длина
12мм
Высота
1мм
Ширина
18.4мм
Размеры
12 x 18.4 x 1мм
Количество слов
64M
Минимальная рабочая температура
0 °C
Количество бит на слово
8бит
Максимальная рабочая температура
+70 °C
Максимальное время произвольного доступа
12000нс
Страна происхождения
Korea, Republic Of
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
HynixОбъем памяти
512Мбит
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
48
Организация
64М x 8 бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип ячейки
Флеш-память с одноуровневыми ячейками
Максимальное рабочее напряжение питания
3,3 В
Блочная организация
Симметричный
Длина
12мм
Высота
1мм
Ширина
18.4мм
Размеры
12 x 18.4 x 1мм
Количество слов
64M
Минимальная рабочая температура
0 °C
Количество бит на слово
8бит
Максимальная рабочая температура
+70 °C
Максимальное время произвольного доступа
12000нс
Страна происхождения
Korea, Republic Of