ON Semiconductor FQPF6N80C МОП-транзистор (MOSFET)
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Тип корпуса
TO-220F
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
51 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
21 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.16мм
Ширина
4.7мм
Серия
QFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
15.87мм
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Тип корпуса
TO-220F
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
51 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
21 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.16мм
Ширина
4.7мм
Серия
QFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
15.87мм