DiodesZetex ZXMS6004DT8TA MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,2 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
IntelliFET
Тип корпуса
SM
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
2,13 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Количество элементов на ИС
2
Ширина
3.95мм
Длина
4.95мм
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
1.5мм
Страна происхождения
Germany
Информация о товаре
IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,2 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
IntelliFET
Тип корпуса
SM
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
2,13 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Количество элементов на ИС
2
Ширина
3.95мм
Длина
4.95мм
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
1.5мм
Страна происхождения
Germany
Информация о товаре
IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.