DiodesZetex ZXMP3F35N8TA МОП-транзистор (MOSFET)

Код товара RS: 708-2403PБренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: ZXMP3F35N8TA
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

17 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

18 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

5,35 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

77,1 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Ширина

4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Вас может заинтересовать
onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC FDS6675BZ
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

DiodesZetex ZXMP3F35N8TA МОП-транзистор (MOSFET)
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

DiodesZetex ZXMP3F35N8TA МОП-транзистор (MOSFET)

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Вас может заинтересовать
onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC FDS6675BZ
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

17 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

18 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

5,35 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

77,1 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Ширина

4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Вас может заинтересовать
onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC FDS6675BZ
P.O.A.Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)