DiodesZetex ZXMP3A13FTA MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,6 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
210 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
806 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
3,8 нКл при 5 В, 6,4 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.05мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 1 966,80
тг 196,68 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 1 966,80
тг 196,68 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 40 | тг 196,68 | тг 1 966,80 |
| 50 - 190 | тг 156,45 | тг 1 564,50 |
| 200 - 490 | тг 111,75 | тг 1 117,50 |
| 500 - 990 | тг 98,34 | тг 983,40 |
| 1000+ | тг 84,93 | тг 849,30 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,6 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
210 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
806 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
3,8 нКл при 5 В, 6,4 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.05мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре