DiodesZetex ZXMP10A13FTA MOSFET

Код товара RS: 669-7616Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: ZXMP10A13FTA
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

700 мА

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

806 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

1,8 нКл при 5 В, 3,5 нКл при 10 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.05мм

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 100V to 450V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 693,50

тг 187,74 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

DiodesZetex ZXMP10A13FTA MOSFET
Select packaging type

тг 4 693,50

тг 187,74 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

DiodesZetex ZXMP10A13FTA MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 100тг 187,74тг 4 693,50
125 - 475тг 107,28тг 2 682,00
500 - 1225тг 93,87тг 2 346,75
1250 - 2475тг 80,46тг 2 011,50
2500+тг 75,99тг 1 899,75

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

700 мА

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

806 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

1,8 нКл при 5 В, 3,5 нКл при 10 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.05мм

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 100V to 450V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.