N-Channel MOSFET, 3.6 A, 60 V, 3-Pin SOT-89 Diodes Inc ZXMN6A11ZTA
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,6 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-89
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
180 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,6 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
2.6мм
Материал транзистора
Кремний
Длина
4.6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
5,7 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.6мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 10 - 40 | P.O.A. |
| 50 - 90 | P.O.A. |
| 100 - 190 | P.O.A. |
| 200 - 490 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,6 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-89
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
180 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,6 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
2.6мм
Материал транзистора
Кремний
Длина
4.6мм
Типичный заряд затвора при Vgs
5,7 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.6мм
Информация о товаре