Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
120 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
806 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.05мм
Типичный заряд затвора при Vgs
3,9 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Germany
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
120 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
806 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.05мм
Типичный заряд затвора при Vgs
3,9 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Germany
Информация о товаре